优势和特点

  高隔离度： 62 dB（1 GHz时）52 dB（2 GHz时）

  正控制： 0/+5V

  输入IP3： 54 dBm

  非反射式设计

  超小型MSOP-86封装：

  14.8 mm2

产品详情

HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。

应用

  基站和中继器

  蜂窝/3G和WiMAX/4G

  基础设施和接入点

  CATV/CMTS

  测试仪器仪表