优势和特点

  输出功率： +15 dBm

  宽输入功率范围： 0至+10 dBm

  100 kHz SSB相位噪声： -140 dBc/Hz

  +5V（75 mA电源）

  16 mm²无铅QFN SMT封装

产品详情

HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技术的有源微型x2倍频器，提供3x3 mm无引脚QFN表贴封装。 功率输出为+4 dBm（典型值），单电源电压为+5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制为30 dBc（典型值）。

100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC369LP3(E)非常适合在LO倍频器链路中使用，与传统方法相比可以减少器件数量。 HMC369LP3(E)还用于OC-192时钟恢复。 输入端应用10 GBPS数据可在输出端产生-7 dBm时钟音，杂散信号抑制为25 dB。

应用

  OC-192时钟恢复

  微波无线电和VSAT

  军用无线电、雷达和ECM

  测试仪器仪表