优势和特点

  非反射式50 Ω设计

  高隔离度：57 dB至2 GHz

  低插入损耗：0.9 dB至2 GHz

  高输入线性度

  1 dB功率压缩(P1dB)：34 dBm（典型值）

  三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）

  高功率处理

  33.5 dBm（通过路径）

  26.5 dBm端接路径 单正电源：3 V至5 V

  CMOS/TTL兼容控制

  全部关断状态控制

  带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)

产品详情

HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。

HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。

应用

  蜂窝/4G基础设施

  无线基础设施

  移动无线电

  测试设备