优势和特点

  非反射50Ω设计

  正控制电压： 0/+3.3V

  低插入损耗： 0.68 dB (8 GHz)

  高隔离度： 48 dB (8 GHz)

  高功耗处理：

   35.5 dBm（通过路径）

   27 dBm（端接路径）

  高线性度：

  1 dB压缩(P1dB)：37 dBm（典型值）

  输出三阶交调截点(IIP3)：62 dBm（典型值）

  ESD额定值： 2kV 人体模型(HBM)

  3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装

  无低频杂散

  建立时间（最终RFOUT的0.05 dB裕量）：7.5 μs