优势和特点

  转换增益：12 dB

  镜像抑制：25 dBc

  LO至RF隔离：45 dB

  噪声系数：1.8 dB

  IP3：1 dBm

  32引脚5 x 5 mm SMT封装

产品详情

HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA，后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

  点对点和点对多点无线电

  军用雷达、EW和ELINT

  卫星通信

  海事和移动无线电