优势和特点

  低LO功率： 10 dBm

  宽IF带宽： DC - 3 GHz

  镜像抑制： 21 dBc

  LO/RF隔离： 40 dB

  高输入IP3： 17 dBm

  16引脚3x3 mm SMT封装： 9 mm²

产品详情

HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

  点对点和点对多点无线电

  军用雷达、EW和ELINT

  卫星通信

  传感器