优势和特点

  无源双平衡拓扑结构

  LO至RF高隔离： 30 dB

  低转换损耗： 8 dB

  宽IF带宽： DC - 5 GHz

  裸片尺寸： 0.9 x 1.0 x 0.1 mm

产品详情

HMC-MDB169是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 这款紧凑型混频器具有宽IF带宽、低转换损耗、LO至RF和LO至IF的高隔离性能。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。

HMC-MDB169双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器，而且体积要小得多，性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。

应用

  短程/高容量无线电

  点对多点设备

  军用雷达、ECM和EW

  卫星通信