FQPF16N15
N 沟道 QFET
制造商：ON
产品信息
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
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- 11.6A, 150V, R
- = 160mΩ（最大值）@V
- = 10 V, I
- = 5.8A栅极电荷低（典型值：23nC)
- 低 C
- （典型值30pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 175°C最大结温额定值"
- 175°C maximum junction temperature rating"
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型号：FQPF16N15
描述：-