FPF1039高级负载管理开关专为需要高集成解决方案的应用而设计，它可以中断DC电源轨(<6V)供电的负载与严苛的关断电流目标和高负载电容（可达200µF）的连接。 FPF1039是由压摆率控制的低阻抗MOSFET开关（典型值21mΩ）和其他集成模拟功能组成。 压摆率控制的打开特性可防止电源轨上产生浪涌电流及过大的电压降。
这些器件具有极低的关断电流消耗（最大为<1μA），有助于满足极低的待机功耗应用需求。 输入电压范围介于1.2V至5.5V DC之间，可满足消费类、光学、医疗、存储、便携式和工业器件电源管理等广泛应用的需求。
开关控制是通过能够直接连接低压控制信号/GPIO的逻辑输入（高电平有效）来管理的，无需外部上拉电阻。 该器件采用高级的、完全“绿色”的1mm x 1.5mm晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)，它为广泛的应用提供了卓越的导热性、小尺寸和低电阻。

• • 1.2至5.5V输入电压工作范围• 典型值R
• ：
• 20mΩ (V
• =5.5V)
• 21mΩ (V
• =4.5V)
• 37mΩ (V
• =1.8V)
• 75mΩ (V
• =1.2V)• 压摆率/浪涌控制，t
• ： 2.7ms（典型值）• 3A最大连续电流容量• FPF1039上的输出放电功能• 低<1µA静态电流• ESD保护： 超过8kV HBM和1.5kV CDM的静电保护• 兼容GPIO/CMOS的使能电路