FOD8333
输入 LED 驱动、2.5 A 输出电流、带去饱和检测的 IGBT 驱动光电耦合器、隔离故障感测、有源米勒箝位,及自动故障复位
制造商:ON
产品信息
FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器,可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能,避免发生故障,从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。
该器件采用 Fairchild 专有的 Optoplanar® 共面封装技术,优化了 IC 设计,通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了可靠的高隔离电压和高抗噪能力。 该器件包含在一个宽体 16 引脚小型塑料封装中。
栅极驱动器沟道包括一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),与带低-R
MOSFET 输出级的集成高速驱动器电路光电耦合。 故障感应沟道包括一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),与故障感测用的集成高速反馈电路光电耦合。
该器件采用 Fairchild 专有的 Optoplanar® 共面封装技术,优化了 IC 设计,通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了可靠的高隔离电压和高抗噪能力。 该器件包含在一个宽体 16 引脚小型塑料封装中。
栅极驱动器沟道包括一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),与带低-R
MOSFET 输出级的集成高速驱动器电路光电耦合。 故障感应沟道包括一个镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),与故障感测用的集成高速反馈电路光电耦合。
- 输入 LED 驱动辅助接受来自 PWM 输出的数字编码信号
- 光隔离故障检测反馈
- 高 dv/dt 无负电源电压时,有源米勒箝位关闭 IGBT
- 以共模抑制为特点的高抗扰性 — 最小 35 Kv/μs,V
- = 1500 V
- 2.5 A 输出电流驱动能力,针对中等功率 IGBT
- 使用 P 沟道 MOSFET 作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨(轨到轨输出)
- 宽电源电压范围: 15 V 至 30 V
- 集成 IGBT 保护
- 去饱和检测
- IGBT“软”断开
- 固定静音时间(通常是 33 μs)后的自动故障复位
- 具有滞回的欠压锁定 (UVLO)
- 在整个工作温度范围内可快速开关
- 250 ns 最大传播延迟
- 扩展工业温度范围:
- 100 ns 最大脉宽失真度
- 安全和法规认证
- -40°C 至 100°C
- DIN-EN/IEC60747-5-5: 1,414 V
- 工作绝缘额定电压/8,000 V
- 瞬态隔离额定电压
- 1分钟 UL1577,4,243 VRMS
- 8 mm 爬电和安全距离