FOD3184
输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器
制造商：ON
产品信息
FOD3184是输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器。 它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管(LED)组成，该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。 它非常适用于等离子显示板(PDP)中使用的高频驱动的功率MOSFETS/IGBT、电机控制逆变器以及高性能的DC-DC转换器中。
该器件封装在8引脚双列直插式外壳内，兼容260°C回流焊接工艺，符合无铅焊接的规定。
该器件封装在8引脚双列直插式外壳内，兼容260°C回流焊接工艺，符合无铅焊接的规定。
- 具有35kV/µs共模抑制特点的高抗噪能力
- 保证工作温度范围为-40°C至100°C
- 为中等功率的MOSFET/IGBT提供最低3A的峰值输出电流
- 快速开关速度
- 210ns（最大值） 传播延迟
- 65ns（最大值） 脉宽失真度
- 快速输出上升/下降时间
- 提供较低的动态功耗
- 250kHZ最大开关速度广泛的V
- CC
- ，从15V至30V
- 使用P沟道MOSFET作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
- 带滞后的欠压闭锁保护(UVLO) - 优化用于驱动IGBT
- 安全和法规认证
- 1分钟UL1577，3,750 VAC
- 最小爬电距离为8.0mm
- IEC60747-5-2，1,414峰值工作绝缘电压（待审批）
- 最小绝缘厚度为0.5mm
- 最小爬电距离8.0mm（选项T）
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型号：FOD3184TSV
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型号：FOD3184SD
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型号：FOD3184S
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型号：FOD3184V
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型号：FOD3184TSR2V
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型号：FOD3184SDV
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