元器件型号、描述、参数

FGH60N60SM_F085

 600 V、60 A、1.8 V、TO-247

制造商：ON

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产品信息

飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列采用创新型场截止沟道 IGBT 技术，为汽车充电器、光伏逆变器、UPS 和数字发电机等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
  • 最大结温： T
  • =175℃
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压： V
  • = 1.8 V（典型值
  • ）(I
  • = 60 A)
  • 高输入阻抗
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求

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