FGH40T65UQDF

 650 V, 40 A 场截止沟道 IGBT

制造商:ON

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产品信息

安森美半导体新型场截止第 4 代 IGBT 采用创新型的场截止 IGBT 技术,可以提供优越的导通和开关性能,并且易于并联运行。
该设备非常适合谐振或软开关应用,例如感应加热、微波炉等。
  • 最大结温: T
  • = 175°C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: V
  • = 1.33 V(典型值) @ I
  • = 40 A
  • I
  • (1)部件100%检测
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准

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