FGH40N65UF_F085
650 V、40 A、1.8 V、TO-247
制造商:ON
产品信息
Fairchild 的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为车用充电器、逆变器和其他低传导和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
- 高电流能力
- 低饱和电压: VCE(sat) = 1.8 V (IC = 40 A)
- 高输入阻抗
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求
在线购买
型号:FGH40N65UFDTU-F085
描述:-
应用案例
选型手册:MOT12N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管
2025-11-12
选型手册:MOT10N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管
2025-11-07
选型手册:MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
2025-11-04
选型手册:MOT65R600F 系列 N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管
2025-11-01
BNO085-SH2协议通讯数据解析
2019-12-07
释放TK49N65W5 MOSFET的潜力
2024-09-23
基于NXH600N65L4Q2F2 IGBT三电平NPC逆变器模块的技术解析
2025-11-21
选型手册:MOT2N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管
2025-11-17
