元器件型号、描述、参数

FGH30T65UPDT

 650V，30A场截止沟道IGBT

制造商：ON

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产品信息

飞兆半导体的新型场截止沟道 IGBT 系列产品采用创新型场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
  • 最大结温：T
  • = 175
  • C
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压：V
  • = 1.65 V（典型值）@ I
  • = 30A
  • 器件100%经过I
  • 测试
  • 高输入阻抗
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 短路耐用性：> 5us @ 25
  • C

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