元器件型号、描述、参数

FGH25T120SMD

 1200 V、25 A 场截止沟道 IGBT

制造商：ON

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产品信息

通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术，飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
  • FS 沟道技术，正温度系数
  • 高速开关
  • 低饱和电压： IC = 25 A 时，VCE(sat) = 1.8 V
  • 100% 零件 ILM(1) 测试
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准

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技术资料

应用案例