元器件型号、描述、参数

FGH25N120FTDS

 1200V，25A，场截止沟道IGBT

制造商：ON

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产品信息

飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
  • 高速开关
  • 低饱和电压：V
  • = 1.60V @ I
  • = 25A
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准

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技术资料

应用案例