元器件型号、描述、参数

FGH12040WD_F155

 1200 V, 40 A 场截止沟槽 IGBT

制造商：ON

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产品信息

飞兆半导体的场截止第 2 代
IGBT 新系列采用的是新颖的电场截止型 IGBT 技术，为低导通和开关损耗的焊接和 PFC 应用提供最优性能。
  • 最大结温： T
  • =175°C
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 低饱和电压： V
  • = 2.3 V（典型值） @ I
  • = 40
  • I
  • (1) 部件 100% 检测
  • 短路耐用性> 5 us @ 150°C
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准

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