元器件型号、描述、参数

FGD3245G2_F085

 450 V、23 A、1.3 V、320 mJ、DPAK

制造商：ON

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产品信息

FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是采用 Fairchild 的 EcoSPARK® 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于免去外部保护电路。 该技术已针对在恶劣环境中汽车点火系统线圈的驱动进行了优化，并且该技术还能在工作温度提高时提供非常出色的 V
和 SCIS 能量性能。 逻辑电平栅极输入进行了 ESD 保护，并且具有一个集成式栅极电阻。 集成式齐纳电路将 IGBT 的集电极-发射极电压钳位控制在 450 V，因此能够支持具有更高火花电压的系统。
  • SCIS 能量 = 320 mJ（需 T
  • = 25°C）
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 低饱和电压
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合RoHS标准

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