元器件型号、描述、参数

FGA6065ADF

 650 V、60 A 场截止沟道 IGBT

制造商：ON

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产品信息

此 ADF IGBT 系列采用第三代场截止沟道式 IGBT，提供极低的 Rds(on) 及快得多的开关特性，实现出色效率。 而且，这种技术针对各种 PFC（功率因数校正）拓扑进行全面优化；单级升压、多沟道交错式及超过 20KHz 的开关性能。 TO3P 封闭提供超低热电阻，提供更广泛的 SOA，实现出色的系统稳定性。
  • 最大结温： T
  • = 175 °C
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压： V
  • =1.8 V（典型值） （I
  • =60 A）
  • 部件 100% 经过 I
  • (1)检测
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合 RoHS 标准

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