FGA30N65SMD
650 V、30 A、场截止 IGBT
制造商:ON
产品信息
飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊机、感应加热、通讯、ESS 和 PFC 等低传导和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
- 最大结温:T
- =175
- C
- 正温度系数,易于并联运行
- 高电流能力
- 低饱和电压:V
- =1.98 V(典型值)@ I
- = 30 A
- 快速开关
- 紧密的参数分布
- 符合 RoHS 标准
在线购买
型号:FGA30N65SMD
描述:-
应用案例
安森美FGA60N65SMD IGBT:高性能解决方案
2026-07-18
探索 onsemi FGA40T65SHD 650V、40A 场截止沟槽 IGBT
2026-07-18
安森美FGA40N65SMD:650V、40A场截止IGBT的卓越性能与应用
2026-07-18
解析 onsemi FCB260N65S3 650V N 沟道 MOSFET
2026-07-17
FHA60T65A型号户外储能电源IGBT介绍
2023-04-20
Nuvoton LCD开发篇 4 -- N9H30 RGB彩屏软件调试(二)
2023-04-04
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K
2023-02-01
高压MOS管4N65/7N65/10N65/12N65<
2022-09-16
