元器件型号、描述、参数

FGA30N120FTD

 1200V，30A，场截止沟道IGBT

制造商：ON

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产品信息

飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。
  • 场截止沟道技术
  • 高速开关
  • 低饱和电压：V
  • = 1.6V @ I
  • = 30A
  • 高输入阻抗

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应用案例