FGA20N120FTD
1200V，20A，场截止沟道IGBT
制造商：ON
产品信息
飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术，为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。
- 场截止沟道技术
- 高速开关
- 低饱和电压：V
- =1.6V @ I
- = 20A
- 高输入阻抗
- 符合 RoHS 标准
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型号：FGA20N120FTDTU
描述：-