元器件型号、描述、参数

FGA15N120ANTDTU

 1200V，15A，NPT沟道IGBT

制造商：ON

中文资料及数据手册

在线购买

产品信息

采用飞兆专有的沟道设计和先进NPT技术，此1200V NPT IGBT提供出色的导通和开关性能、高雪崩耐用性，易于并行运行。该设备非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热、微波炉等。
  • NPT 沟道技术，正温度系数
  • 低饱和电压：V
  • （典型值） = 1.9V@ I
  • = 15A 且 T
  • = 25°C
  • 低开关损耗：E
  • （典型值） = 0.6mJ（I
  • = 15A 且 T
  • = 25°C时）
  • 极度增强雪崩能力

在线购买

技术资料

应用案例