FDZ193P
-20V P沟道1.7V PowerTrench® WL-CSP MOSFET
制造商：ON
产品信息
FDZ193P采用飞兆先进的1.7 V PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计，可最大限度地减小PCB空间和r
。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低r
融合为一体。
。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低r
融合为一体。
- V
- = -4.5V，I
- = -1A时，r
- = 90 mΩ（最大值）
- V
- = -2.5V，I
- = -1A时，r
- = 130 mΩ（最大值）
- V
- = -1.7V，I
- = -1A时，最大r
- = 300mΩ
- 仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
- 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
- 符合RoHS标准
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型号：FDZ193P
描述：-