XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6833C将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型6x6mm封装中。
通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET R
优化。 XS™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。
驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。 热警告功能会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6833C还为提高轻负载效率整合了跳跃模式(SMOD#)。 FDMF6833C还提供了3态5V PWM输入，可实现与广泛的PWM控制器的兼容性。

• 超过93%的峰值效率
• 高电流处理能力： 45A
• 高性能PQFN铜片封装
• 三态5V PWM输入驱动器
• 跳跃模式SMOD#（低端栅极关闭）输入
• 为过温情况提供热警告标志
• 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
• 分别为SMOD#和DISB#输入提供内部上拉电阻和下拉电阻
• 飞兆PowerTrench®技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
• 集成自举肖特基二极管
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
• 欠压闭锁(UVLO)
• 为实现开关频率达到1MHz而优化
• 薄型SMD封装
• 基于Intel® 4.0 DrMOS标准
• 飞兆绿色封装并符合RoHS标准