XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6821B 将驱动器 IC、两个功率 MOSFET 和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型 6x6 毫米封装中。
通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET R
优化。 XS™ DrMOS采用飞兆的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著地降低了开关振铃噪声，从而无需在大部分降压转换器应用中使用缓冲电路。
驱动器IC通过减少死区时间和传播延迟，可进一步提高性能。 热警告功能会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6821B 还为提高轻负载效率整合了跳跃模式 (SMOD#)。 FDMF6820B 还提供了 3 态 3.3V PWM 输入，可实现与广泛的 PWM 控制器的兼容性。

• 高于 93% 的峰值效率
• 高电流处理能力： 55 A
• 高性能 PQFN 铜片封装
• 三态 3.3V PWM 输入驱动器
• 跳频模式 SMOD#（低侧门关断）输入
• 为过温情况提供热警告标志
• 驱动器输出禁用功能（DISB# 引脚）
• SMOD# 输入和 DISB# 输入各自的内部上拉和下拉
• 飞兆 PowerTrench® 技术 MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
• 低端 MOSFET 中的飞兆 SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
• 集成式自举肖特基二极管
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
• 欠压锁定(UVLO)
• 为实现开关频率达到 1MHz 而优化
• 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
• 薄型 SMD 封装。
• 基于 Intel® 4.0 DrMOS 标准