XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6707C将一个驱动IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到热性能增强型超紧凑6x6mm PQFN封装中。
通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFET R
，对整个开关功率级进行了优化。 XS™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。
死区时间和传播延迟缩短的新型驱动IC进一步增强了该器件的性能。 热报警功能指示潜在的过温条件。 FDMF6707C还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)以及与大量PWM控制器兼容的三态5V PWM输入。

• ￭ 高于93%的峰值效率
• ￭ 高电流处理能力（50A）
• ￭ 高性能PQFN铜片封装
• ￭ 三态5.0V PWM输入驱动器
• ￭ 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入
• ￭ 过温条件的热报警标志
• ￭ 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）)
• ￭ SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉
• ￭ 用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench®技术MOSFET
• ￭ 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™ （集成肖特基二极管）技术
• ￭ 集成式自举肖特基二极管
• ￭ 击穿保护的自适应门驱动定时
• ￭ 欠压闭锁(UVLO)
• ￭ 优化后高达1MHz的开关频率
• ￭ 薄型SMD封装
• ￭ 飞兆绿色封装和ROHS认证
• 基于Intel® 4.0 DrMOS标准