XS™ DrMOS系列器件是飞兆新一代完全优化的超小型集成MOSFET及驱动器功率级解决方案，可用于高电流、高频率、同步降压DC-DC应用。 FDMF6705B将一个驱动器IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到一套热性能增强型超紧凑6x6mm PQFN封装中。 通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFET R
，对整个开关功率级进行了优化。 XS™ DrMOS采用飞兆的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著地降低了开关振铃噪声，从而无需在大部分降压转换器应用中使用缓冲器电路。
死区和传播延迟缩短的新型驱动器IC进一步增强了该器件的性能。 热警告功能会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6705B还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)和兼容大量PWM控制器的三态3.3V PWM输入。