XS™ DrMOS系列是飞兆新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6704 XS™ DrMOS将一个驱动IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成入一个热增强、超级紧凑的6 mm x 6 mm MLP封装中。 通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和R
，对整个开关功率级进行了优化。 这极大地降低了封装的寄生效应和与传统分立解决方案相关的布局挑战。 XS™ DrMOS采用飞兆的高性能PowerTrench™ 5 MOSFET技术，大幅降低了同步降压转换器应用中的振铃。 PowerTrench™ 5可省去降压转换器应用中的缓冲器电路。 驱动IC具有先进的功能，例如提高轻负载效率的SMOD和与兼容广泛PWM控制器的三态PWM输入。 5 V栅极驱动和提高的PCB接口针对最大低端FET裸露焊盘进行了优化，以确保获得更高性能。 该产品兼容新的Intel 6 mm x 6 mm DrMOS规格。

• 超紧凑型热增强6 mm x 6 mm ML封装比传统分立式解决方案小84 %。
• 同步驱动器加FET多芯片模块。
• 高电流处理能力：35 A。
• 超过93%的峰值效率。
• 三态PWM输入。
• 飞兆的PowerTrench®5技术MOSFET，可提供干净的电压波形并降低振铃噪声。
• 针对最高可达1 MHz的开关频率进行优化。
• 跳跃模式SMOD [低端栅极关闭]输入。
• 低端MOSFET中的飞兆SyncFET™ [集成式肖特基二极管]技术。
• 集成自举肖特基二极管。
• 实现直通保护的自适应栅极驱动时序。
• 驱动器输出禁用功能[DISB#引脚]。
• 欠压闭锁(UVLO)。
• 飞兆绿色封装并符合RoHS标准。 薄型SMD封装。