元器件型号、描述、参数

FDMC510P

 -20V P沟道PowerTrench® MOSFET

制造商：ON

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产品信息

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对r
、开关性能和稳固性进行了优化。
  • 最大值 R
  • = 8.0 mΩ（V
  • = -4.5 V, I
  • = -12 A
  • ）
  • 最大值 R
  • = 9.8 mΩ（V
  • = -2.5 V, I
  • = -10 A
  • ）
  • 最大值 R
  • = 13 mΩ（V
  • = -1.8 V, I
  • = -9.3 A
  • ）
  • 最大值 R
  • = 17 mΩ（V
  • = -1.5 V, I
  • = -8.3 A
  • ）
  • 高性能沟道技术可实现极低的R
  • 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  • 100%经过UIL测试
  • 终端无引线且符合RoHS标准
  • HBM ESD能力等级> 2KV典型值

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