FDMC510P
-20V P沟道PowerTrench® MOSFET
制造商：ON
产品信息
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对r
、开关性能和稳固性进行了优化。
、开关性能和稳固性进行了优化。
- 最大值 R
- = 8.0 mΩ（V
- = -4.5 V, I
- = -12 A
- ）
- 最大值 R
- = 9.8 mΩ（V
- = -2.5 V, I
- = -10 A
- ）
- 最大值 R
- = 13 mΩ（V
- = -1.8 V, I
- = -9.3 A
- ）
- 最大值 R
- = 17 mΩ（V
- = -1.5 V, I
- = -8.3 A
- ）
- 高性能沟道技术可实现极低的R
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
- 100%经过UIL测试
- 终端无引线且符合RoHS标准
- HBM ESD能力等级> 2KV典型值