描述 这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。特性 共漏极配置 低导通电阻 1.35mm × 1.35mm 小外形封装 无铅且无卤素符合 RoHS 标准人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV应用USB Type-C/PD 电池管理 电池保护All trademarks are the property of their respective owners.