描述 这款 90mΩ，20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。特性 超低导通电阻 超低 Qg 和 Qgd 高运行漏极电流 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）1mm x 0.6mm超薄最大高度 0.35mm集成型静电放电 (ESD) 保护二极管额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)无铅且无卤素 符合 RoHS 环保标准应用范围针对负载开关应用进行了优化 针对通用开关应用进行了优化 电池类应用 手持式和移动类应用All trademarks are the property of their respective owners.