描述 这款 99mΩ，30V N 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。 典型部件尺寸要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 85°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% 顶视图特性 低导通电阻 超低 Qg 和 Qgd 低阈值电压 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）1.0mm × 0.6mm超薄 高度 0.2mm集成型静电放电 (ESD) 保护二极管额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)无铅且无卤素 符合 RoHS 环保标准应用范围针对负载开关应用进行了优化 针对通用开关应用进行了优化 电池类应用 手持式和移动类应用All trademarks are the property of their respective owners.