产品种类:MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 2.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 82 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.55 V

Qg-栅极电荷: 1.7 nC

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: 1 N-Channel

开发套件: -

下降时间: 3.7 ns

正向跨导 - 最小值: 9 S

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 500 mW

上升时间: 9.9 ns

系列: BSS806

工厂包装数量: 3000

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 12 ns

典型接通延迟时间: 7.5 ns

零件号别名: BSS806N BSS806NH6327XT H6327 SP000928952

特点：

N沟道

增强型

超逻辑电平（ 1.8V额定）

额定雪崩

符合AEC Q101标准

100 ％无铅化;符合RoHS标准