产品种类:MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-89-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 90 mA

Rds On-漏源导通电阻: 45 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V

Qg-栅极电荷: 3.9 nC

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 41 ns

正向跨导 - 最小值: 140 mS

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 1 W

上升时间: 38 ns

系列: BSS225

工厂包装数量: 1000

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 62 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

零件号别名: BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 SP001195032

特点：

N沟道

增强型

逻辑电平

dv / dt的额定

无铅引脚电镀;符合RoHS标准