产品种类:MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 120 mA

Rds On-漏源导通电阻: 25 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V

Qg-栅极电荷: 4.4 nC

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 110 ns

正向跨导 - 最小值: 0.06 S

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

上升时间: 14.4 ns

系列: BSP125

工厂包装数量: 1000

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 7.7 ns

零件号别名: BSP125 H6327 SP001058576

单位重量: 250.200 mg