产品种类:MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 950 mA

Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

Qg-栅极电荷: 0.32 nC

最大工作温度: + 150 C

封装: Reel

商标: Infineon Technologies

配置: Dual

下降时间: 1.2 ns

最小工作温度: - 55 C

Pd-功率耗散: 500 mW

上升时间: 3.6 ns

系列: BSD235

工厂包装数量: 3000

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 4.5 ns

零件号别名: BSD235NH6327 BSD235NH6327XTSA1 SP000917652

单位重量: 7.500 mg

特点：

双N沟道

增强模式

超逻辑电平（2.5V额定）

额定雪崩

符合AEC Q101

100%•RoHS无铅；