BF1212WR
增强型与N沟道场效应晶体管源和基体相互关联的。
制造商：
产品信息
特点
•具有较高的正向传输短沟道晶体管
纳输入电容比
•低噪声增益控制放大器
•出色的低频噪声性能
•部分内部自偏置电路，以确保良好的
AGC和好时的交叉调制性能
DC稳定。
应用
•增益控制的低噪声VHF和UHF放大器5 V数字和模拟电视调谐器的应用程序。
描述
增强型与N沟道场效应晶体管源和基体相互关联的。集成的二极管门和源极之间防止过高的输入电压浪涌。该BF1212 ， BF1212R和BF1212WR被封装在所述SOT143B ， SOT143R和SOT343R塑料封装分别。
BF1212WR引脚图
BF1212WR封装图