ATTINY9-TS8R

8 -bit微控制器512/1024字节的系统内可编程闪存。

制造商:

产品信息

  ATtiny4 / 5 /9/10低功耗CMOS基础上,小巧的AVR 8位微控制器增强的RISC架构。通过在一个单一的时钟周期执行功能强大的指令,所述ATtiny4 / 5 /9/10实现吞吐量接近每兆赫1 MIPS ,使系统设计人员在功耗和处理速度之间。

  AVR内核具有16个通用工作寄存器和丰富的指令集系统寄存器。所有寄存器都直接连接到所述算术逻辑单元(ALU) ,允许两个独立的寄存器中在一个时钟周期中执行一个指令来访问。这种结构紧凑,高效的代码,同时实现最高至10时间比传统的CISC微控制器快。

  特点

  •高性能,低功耗的AVR®8位微控制器

  •先进的RISC架构

  - 54条指令 - 绝大多数为单时钟周期执行

  - 16个8位通用工作寄存器

  •全静态工作

  - 高达12 MIPS的吞吐量在12 MHz

  非易失性程序和数据存储器

  - 512/1024字节的系统内可编程闪存程序存储器的

  - 32字节的片内SRAM

  - 闪存写入/擦除周期:10,000

  - 数据保存: 20年85oC / 100年在25oC

  外设特性

  - 1个16位定时器/计数器及两条PWM通道

  - 可编程看门狗定时器具有独立的片上振荡器

  - 4通道, 8位模数转换器

  - 片上模拟比较器

  单片机特性

  •在系统可编程

  - 外部和内部中断源

  - 低功耗空闲模式, ADC噪声抑制和掉电模式

  - 增强型上电复位电路

  - 可编程的电源电压电平监视与中断和复位

  - 内部振荡器校准

  I / O和封装

  - 采用6引脚SOT :四个可编程I / O线

  工作电压:

  – 1.8 – 5.5V

  编程电压:

  – 5V

  速度等级

  - 0 - 4兆赫@ 1.8 - 5.5V

  - 0 - 8兆赫@ 2.7 - 5.5V

  - 0 - 12兆赫@ 4.5 - 5.5V

  工业温度范围

  低功耗

  - 主动模式:

  • 200μA在1MHz和1.8V

  •空闲模式:

  • 25μA在1MHz和1.8V

  - 掉电模式:

  • 《 0.1μA在1.8V


电路图、引脚图和封装图

    ATTINY9-TS8R电路图

      ATTINY9-TS8R引脚图

        ATTINY9-TS8R封装图

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        应用案例