该AT45DB021D是2.7V ，串行接口闪存非常适合宽各种数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。

　　AT45DB021D支持要求非常高的应用急流串行接口速度操作。急流串行接口SPI的频率兼容多达66兆赫。其2162688位存储器组织为1024页，每页256字节或264每个字节。除了在主存储器中， AT45DB021D还包含一个

　　的二百六十四分之二百五十六字节的SRAM缓存。 EEPROM仿真（位或字节变性）是很容易带有自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。不像conven-了与多个地址线和一个随机访问tional闪存并行接口时，数据闪存®采用了急流串行接口依次访问其数据。简单的顺序访问极大地降低了活动的引脚数，有利于硬件布局，提高了系统的可靠性，最大限度地降低开关噪声，并降低了封装尺寸。

　　特点

　　2.7V至3.6V单电源

　　急流串行接口： 66 MHz最大时钟频率

　　- 兼容SPI模式0和3

　　用户可配置的页面大小

　　- 每页256字节

　　- 每页264字节

　　- 页面大小可在工厂预先配置为256字节

　　页编程操作

　　- 智能编程操作

　　- 1024页（二百六十四分之二百五十六字节/页）主内存

　　灵活的擦除选项

　　- 页擦除（ 256字节）

　　- 块擦除（ 2字节）

　　- 擦除扇区（32字节）

　　- 芯片擦除（ 2兆）

　　一个SRAM数据缓冲区（ 264分之256字节）

　　通过整个阵列连续读取功能

　　- 理想的代码映射应用程序

　　低功耗

　　- 7毫安有效的读电流典型

　　- 25 μA待机电流典型

　　- 15 μA深度掉电典型

　　硬件和软件数据保护功能

　　- 个别部门

　　部门锁定的安全代码和数据存储

　　- 个别部门

　　安全性： 128字节安全寄存器

　　- 64字节的用户可编程空间

　　- 唯一的64字节的设备标识符

　　JEDEC标准制造商和设备ID读

　　100000编程/擦除周期每页最低

　　数据保留 - 20岁

　　工业温度范围

　　绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项