该AT28C64B是一个高性能的电可擦除和可编程只读只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位，8，192字。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造访问时间为150 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是取消选择，在CMOS待机电流小于100微安。

　　特点

　　快速读取访问时间 - 150纳秒

　　自动页写操作

　　- 内部地址和数据锁存为64字节

　　快速写周期时间

　　- 页写周期时间： 10 ms最大（标准）

　　2 ms最大（选项 - 参考AT28HC64BF数据表）

　　- 1到64字节页写操作

　　低功耗

　　- 40毫安工作电流

　　- 100 μA CMOS待机电流

　　硬件和软件数据保护

　　数据轮询和切换位写检测结束

　　高可靠性的CMOS技术

　　- 耐力： 100，000次

　　- 数据保存：10年单5V±10%

　　供应

　　CMOS和TTL兼容输入和输出

　　JEDEC批准字节宽引脚

　　工业温度范围

　　绿色（无铅/无卤化物）的包装选项