元器件型号、描述、参数

AO4485

MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

制造商：

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规格参数

产品分类

场效应管（MOS管）

三极管及MOS管



FET配置（电路类型）

P沟道


漏源击穿电压V(BR)dss

40V


漏极电流（Id, 连续）

10A（Ta）


导通电阻 Rds（on）

15毫欧


阈值电压Vgs(th)

2.5V@250µA


最大耗散功率

1.7W


封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）



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应用案例