AO4485

MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

制造商:

规格参数

产品分类

场效应管(MOS管)

三极管及MOS管



FET配置(电路类型)

P沟道


漏源击穿电压V(BR)dss

40V


漏极电流(Id, 连续)

10A(Ta)


导通电阻 Rds(on)

15毫欧


阈值电压Vgs(th)

2.5V@250µA


最大耗散功率

1.7W


封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm宽)



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应用案例