AO3419
P沟道增强型场效应晶体管。
制造商：
产品信息
概述
该AO419采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS （ ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V 。装置适合于用作负载开关或以PWM应用程序。这是ESD保护。 AO3419L（绿色产品）的无铅封装提供。
特点
VDS（V） = -20V
ID= -3.5 A
RDS （ ON）《 75mΩ （VGS= -10V）
RDS （ ON）《 95mΩ （VGS= -4.5V）
RDS （ ON）《 145mΩ （VGS= -2.5V）
ESD额定值： 2000V HBM
电路图、引脚图和封装图
AO3419电路图
AO3419引脚图