AO3418
P沟道增强型场效应晶体管。
制造商:
产品信息
概述
该AO3418采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS ( ON),极低的栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V 。这装置适合于用作负载开关或以PWM应用程序。 AO3418L (绿色产品)提供的无铅封装。
特点
VDS(V) = 30V
ID= 3.8 A
RDS ( ON)《的60mΩ (VGS= 10V)
RDS ( ON)《 70mΩ (VGS= 4.5V)
RDS ( ON)《 155mΩ (VGS= 2.5V)
电路图、引脚图和封装图
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