AO3418
P沟道增强型场效应晶体管。
制造商：
产品信息
概述
该AO3418采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS （ ON），极低的栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V 。这装置适合于用作负载开关或以PWM应用程序。 AO3418L （绿色产品）提供的无铅封装。
特点
VDS（V） = 30V
ID= 3.8 A
RDS （ ON）《的60mΩ （VGS= 10V）
RDS （ ON）《 70mΩ （VGS= 4.5V）
RDS （ ON）《 155mΩ （VGS= 2.5V）
电路图、引脚图和封装图
AO3418电路图
AO3418引脚图