优势和特点

  反射式50 Ω设计

  低插入损耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）

  高隔离度：50 dB（典型值，2 GHz）

  高功率处理

  连续平均功率：43 dBm

  峰值功率：46.5 dBm

  高线性度

  0.1 dB压缩(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）

  输出三阶交调截点(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）

  ESD额定值

  人体模型(HBM)：2 kV，2级

  充电器件模型(CDM)：待定

  单正电源

  VDD：5 V

  正控制，TTL兼容

  VCTL： 0 V 或 5 V

  24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm2)

产品详情

ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关，采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm（典型值）输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作，典型偏置电流为1 mA，使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。

应用

  蜂窝/4G基础设施

  无线基础设施

  军事和高可靠性应用

  测试设备

  引脚二极管替代器件