ADR439
超低噪声、4.5V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力
制造商:
产品信息
主要参数
低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 µV p-p(2.5 V输出)
无需外部电容
低温度系数A 级: 10 ppm/°C (最大值)B 级: 3 ppm/°C (最大值)
负载调整率:15 ppm/mA
线性调整率:20 ppm/V
宽工作电压范围: ADR430: 4.1 V 至 18 V ADR431: 4.5 V 至18 V ADR433: 5.0 V 至 18 V ADR434: 6.1 V 至 18 V ADR435: 7.0 V 至 18 V ADR439: 6.5 V 至18 V
高输出源电流和吸电流:+30 mA和−20 mA
宽温度范围:−40°C至+125°C
产品详情
ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光学控制电路
精密仪器
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