概述

　　该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET基准电压源具有低噪声，高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司拥有专利权的温度漂移曲率校正和XFET （额外注入结型场效应管）技术，该电压源ADR43x的电压变化与温度的非线性是最小化。

　　该XFET引用在较低的功耗（800 μA ）和操作电源裕量（ 2 V ），比埋齐纳参考。 Buried-齐纳参考需要5 V以上的裕量进行操作。该电压源ADR43x XFET基准是唯一的低噪声解决方案5 V系统。

　　该电压源ADR43x系列有能力提供高达30毫安和吸收高达20 mA的输出电流。它还配备了一个TRIM终端来调整输出电压在0.5％范围内而不会影响性能。该电压源ADR43x可用在8引脚的迷你型SOIC和8引脚SOIC封装。

　　特点

　　1.低噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ） ： 3.5 μV峰峰值@ 2.5 V输出

　　2.无需外部电容

　　3.低温COEF网络cient

　　A级： 10 PPM / ° C最大值

　　B级：为3 ppm / ° C最大值

　　4.负载调整率： 15 PPM / MA

　　5.线路调整率： 20 PPM / V

　　6.宽工作范围

　　ADR430 ： 4.1 V至18 V

　　ADR431 ： 4.5 V至18 V

　　ADR433 ： 5.0 V至18 V

　　ADR434 ： 6.1 V至18 V

　　ADR435 ： 7.0 V至18 V

　　ADR439 ： 6.5 V至18 V

　　7.高输出电流： 30毫安/ -20毫安

　　8.使用温度范围广：−40°C至+ 125°C